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理解双面研磨机应从哪几个方面动手

发布时间:2021-01-28      发布人:admin


  im体育在线滚磨、切割、研磨、抛光切片前先将硅单晶棒研磨成具有准确直径的单晶棒,再沿单晶棒的晶轴标的目的研磨出主、次参考面,用氢氟酸、硝酸和冰醋酸的混淆液腐化研磨面,称为减径腐化。

  切片,把硅单晶棒切成所需形状的硅片(如圆片)的工艺。切割额外圆切割、超声切割、电子束切割和遍及接纳的内圆切割等。

  在研磨机上,用白刚玉或金刚砂等配制的研磨液将硅片研磨成具有必然厚度和光亮度的工艺。有单面研磨和双面研磨两种方法。

  为了制备符合器件和集成电路建造请求的硅片外表,必需停止抛光,以除往残留的毁伤层并得到必然厚度的高平坦度的镜面硅片。抛光分机器抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光,较遍及接纳的是化学机器抛光。化学机器抛光是化学腐化和机器磨削同时停止,分为铜离子抛光、铬离子抛光和遍及接纳的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠(或有机碱)和水配制成胶体抛光液。在抛光过程当中,氢氧化钠与硅外表反响生成硅酸钠,经由过程与二氧化硅胶体的磨削,硅酸钠进进抛光液,两个历程不服息地同时停止而到达抛光的目标。按照差别请求,可用一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光(粗抛光、中心抛光和精抛光)。为满意超大范围集成电路对外表质量战争坦度的请求,已有没有蜡抛光和无磨料抛光等新工艺。

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